直流磁控（kòng）濺射（shè）： 直流磁控濺射是在直流二級濺射的基（jī）礎上，在（zài）靶材後麵安防磁鋼。可以用來濺射沉積導電膜，而且沉積速度快；

但靶材（cái）若為絕緣（yuán）體的話，將會迅速造成（chéng）靶（bǎ）材表麵電荷積累，從而導致濺射無法進行。所以對於純金屬靶材的濺射，均采用直流磁控濺射，如濺射SUS,Ag,Cr,Cu等。 

中頻磁控濺射， 常用（yòng）來進（jìn）行反應濺射，如金屬氧化物（wù）、碳化物等，將少許反應性氣體N2,O2,C2H2等同惰（duò）性氣體Ar2一起輸入到真空腔中，使反應氣體與靶材原子一起於基材上沉積。

對於一些不易找（zhǎo）到的（de）塊材料製（zhì）成靶材的鍍膜或陶瓷靶材（cái）在濺鍍後（hòu），薄膜成分易偏離原靶材成分（fèn），也可通過反應沉積來獲得改善。