偏壓（Bias)是指在鍍膜過（guò）程中施加在基體上的負電壓（yā）。偏壓電源的（de）正極接到真空室上（shàng），同（tóng）時真（zhēn）空室（shì）接地，偏壓的負極接到工件上。由於（yú）大地的電壓一般認為是零電位，所以（yǐ）工件上的電壓（yā）習慣說負偏壓，簡稱偏（piān）壓。

負（fù）偏壓的作用
提供粒子能量；
對於基片的加熱效應；
清除基片上吸附的氣體和油汙等，有利於提高膜層（céng）結合強度；
活化基體表麵（miàn）；
對電弧離子鍍（dù）（Arc Ion Plating)中的大顆粒有淨化作用（yòng）；

偏壓的分類
根據波形可分為：
直流偏壓
直流脈衝偏壓
直流疊加脈衝偏壓
雙極性脈衝偏壓

直流偏（piān）壓和脈衝偏壓的比較

傳統的電弧離子鍍是在基片台上施加直流負偏壓控製離子轟擊能量, 這種沉積工藝存在以下缺點:
        基體溫（wēn）升高, 不利於在回火溫度（dù）低的基體上沉積硬質（zhì）膜。
        高能離子轟擊造成嚴重的濺射, 不能簡單通過提高離子轟擊（jī）能量合成高反應閾能的硬質薄膜。
直流偏壓電弧離子鍍工藝中,為了抑製因離子對基體表麵連續轟擊而導致的（de）基體溫度過（guò）高,主要采取減少沉積功率、縮短沉積時間、采用間（jiān）歇沉積方式等措施來降低沉積溫（wēn）度，這些措施可以（yǐ）概（gài）括地稱為能量控製法'這種方法雖然可以降低沉積溫度,但也使薄膜（mó）的某些性能下降,同時還降低了生產效率和薄膜質量的穩定（dìng）性，因此（cǐ）,難以推廣（guǎng）應用。
脈衝偏壓電（diàn）弧離子鍍工藝中,由於離子是以（yǐ）非連續的脈衝方（fāng）式轟擊基體表麵,所以通過調節脈衝偏壓的占空比,可改變基體（tǐ）內（nèi）部與表麵之間的溫度（dù）梯度,進而改（gǎi）變基（jī）體內部與表（biǎo）麵之（zhī）間熱（rè）的均衡補償（cháng）效果,達到調控沉積（jī）溫度的目的。這樣就可以把施加偏壓的脈衝高度與工件溫度獨立分開(互不影響或影響很小)調節,利用（yòng）高壓脈衝（chōng）來獲得高能離（lí）子的轟擊效應以改（gǎi）善薄（báo）膜的組織（zhī）和性能,通過降低占空（kōng）比來（lái）減小離子（zǐ）轟擊的總加熱效應以降低沉積（jī）溫度。

偏壓對膜層的影響

偏壓對膜層的影響機（jī）製是（shì）很複雜的，下（xià）麵列出了一些主要影響，可以根據自己的使用工藝，觀察總結，就可以很快摸清偏壓對膜層的影響規律。
        膜層結構、結晶構造取向、組織結構
        沉（chén）積速率
        大顆粒淨化（huà）
        膜（mó）層（céng）硬度
        膜層致密度
        表麵形貌
        內應力

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