磁控濺（jiàn）射技（jì）術自誕生（shēng）以來，得到了較快（kuài）的發展和較廣的應用，對（duì）其他鍍膜方法的發展產生了很大（dà）的影（yǐng）響。通過大量的實踐，草莓视频CAOMEI888真（zhēn）空總結出這種技術的優缺點，如下文（wén）所示。

　　優點：
　　1.沉積速率高，襯底溫升低，對（duì）薄膜損傷小；
　　2.對於大多數材料（liào），隻要能製造出靶材，就（jiù）可以實現濺射；
　　3.濺射得到的（de）薄膜與基底結合良好（hǎo）；
　　4.濺射得到的薄膜（mó）純度較高（gāo），密度好（hǎo），均勻性（xìng）好；
　　5.結果表明，濺射工藝具有良好的重複（fù）性（xìng），在大麵（miàn）積襯底上可獲得厚度均勻的薄膜；
　　6.可（kě）以準確控製塗層厚度，通過改變參數來控製薄膜的粒徑；
　　7.不同的金屬、合金和氧化物可以混合（hé），同時濺射在基體上；
　　8.易於工業化。


　　但（dàn）是磁控（kòng）濺射也存在一些問（wèn）題
　　1.該技術所使用的環形磁場迫使次級電子圍繞環形磁場跳躍。因（yīn）此，由環形磁場控製的區域是等離子體密度較高的（de）區域。在（zài）該技術中，我們可以看到濺射氣體氬在這一（yī）區域發出強烈（liè）的淡藍色光（guāng）芒，形（xíng）成光暈。光暈下的靶是離子轟擊比較嚴重的部分，它會濺出一個圓形的溝槽。環形磁場是電子運動的軌道（dào），環形輝光和溝（gōu）槽生動地表現了這一點。靶（bǎ）材的濺射槽一旦穿（chuān）透靶材，整個靶材就會報廢，靶材利用率不高（gāo），一般（bān）低於40%；
　　2.等離子體不穩定；
　　3.由於基本的磁（cí）通量均不能通過磁性靶，所以在靶麵附近不可能產生外加磁場。

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